“长江存储国产3D闪存拿下第一笔订单：历史性一刻”

本篇文章561字，读完约1分钟

我国在半导体芯片领域落后于世界先进水平，但稳步前进，不断取得新的突破。

据报道，4月11日，在紫光集团由国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投联合投资建设的国家存储装置基地项目中，芯片生产机台正式入场安装。 这标志着国家存储基地从现场建设阶段进入批量生产准备阶段。

紫光在武汉、南京、成都三地有300mm闪存晶片厂，这次最先启动的是武汉工厂，募集的800亿元资金也全部到位。

普尔集团全球执行副总裁和长江存储执行董事长高启全透露了一个令人振奋的好消息:长江存储的3d nand闪存已经接到第一次订单，共计10776个芯片将用于8gb usd存储卡产品。

紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国在发言中强调，国家存储器基地项目是中国集成电路闪存芯片产业规模化快速发展零的突破，相当于中国科技行业的航空母舰。

迄今为止，基地生产现场已于年9月提前一个月关闭，32层立体nand闪存芯片的自主开发也取得了较大突破，但现在似乎20天前芯片生产机运入完毕，航母舾装完毕，武器弹药组装完毕。

今年年底，基地实现了国产3d闪存的小规模量产，不久就可以看到基于国产闪存的高端智能手机、ssd固态硬盘。

明年，长江存储又开始堆积64层高的闪存，一个容量为128GB(16GB )。